Con le sue dimensioni di soli 9 x 13 mm, l’ultimo storage UFS 4.0 di Micron è il chip di storage più piccolo mai progettato dall’azienda. E’ stato sviluppato nei laboratori congiunti dei clienti Micron negli Stati Uniti, in Cina e in Corea e costruito sulla tecnologia NAND 3D a 232 strati. Lo scopo di questo chip più ridotto è di permettere ai produttori di smartphone di inserire batterie più grandi all’interno degli smartphone.
Le velocità di lettura e scrittura sequenziale sono rispettivamente di 4.300 MB/s e 4.000 MB/s, leggermente più lente rispetto allo standard NVMe Gen 4 e offre anche fino al 25% in più di efficienza
Ecco alcune delle caratteristiche principali:
- Modalità ad alte prestazioni (HPM) : questa funzionalità proprietaria ottimizza le prestazioni durante l’uso intensivo dello smartphone dando priorità alle attività critiche rispetto alle attività in background. Ciò si traduce in un miglioramento di oltre il 25% della velocità quando si avviano più applicazioni grazie all’accesso allo spazio di archiviazione due volte più veloce durante un utilizzo intenso.
- One Button Refresh (OBR) : OBR consente ai consumatori di ottenere le massime prestazioni dai propri dispositivi più a lungo pulendo e ottimizzando automaticamente i dati in modo che gli smartphone possano continuare a funzionare come nuovi. Gli utenti trarranno vantaggio da prestazioni di lettura/scrittura più veloci, con conseguente avvio delle app più veloce del 10%5, accesso rapido al rullino fotografico e multitasking senza interruzioni.
- UFS a zone (ZUFS) : Micron UFS 4.0 ora consente all’host di specificare diverse zone in cui i dati possono essere archiviati, migliorando l’utilità del dispositivo nel tempo. Questo approccio ZUFS riduce l’amplificazione della scrittura per massimizzare i cicli finiti di dati che i dispositivi possono programmare e cancellare senza degradare le prestazioni del dispositivo, estendendo in definitiva la durata dello smartphone e mantenendo i dispositivi come nuovi più a lungo.
Micron afferma che il suo ultimo chip di archiviazione UFS 4.0 sarà disponibile con capacità di 256 GB, 512 GB e 1 TB. Oltre a questo, l’azienda ha annunciato la produzione di massa della memoria HBM3e, che debutterà nelle GPU AI H200 di NVIDIA. Micron ha sviluppato questo design HBM3E leader del settore utilizzando la sua tecnologia 1-beta, l’avanzato through-silicon via (TSV) e altre innovazioni che consentono una soluzione di packaging differenziata. Micron sta inoltre estendendo la propria leadership con i primi sample di memoria HBM3e 12-High con capacità di 36 GB, destinati a fornire prestazioni superiori a 1,2 TB/s.