Samsung è pronta a evolvere definitivamente le attuali memorie GDDR6 annunciando lo sviluppo delle GDDR6W, che tramite la tecnologia FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging) possono ospitare il doppio della larghezza di banda e della capacità per performance sicuramente migliorate rispetto alle soluzioni attuali.
Le prossime memorie potranno contare sul doppio dei chip di memoria all’interno della stessa area delle GDDR6, così da garantire una densità da 16 a 32GB e numero di I/O raddoppiato da 32 a 64. La tecnologia FOWLP monta direttamente il die di memoria su un wafer di silicio, anziché su un PCB. In tal modo, viene applicata la tecnologia RDL (Re-distribution layer), consentendo schemi di collegamento molto più precisi. Inoltre, poiché non viene coinvolto alcun PCB, ne consegue una riduzione del package e una migliore dissipazione del calore. Ciò ha permesso anche di ridurre leggermente l’altezza delle memorie, che passano dagli attuali 1.1mm ai 0.7mm delle GDDR6W, con una riduzione del 36%.
Il vero vantaggio sta però nella larghezza di banda, che ora può toccare i 1.4TB/s, andando quasi a eguagliare quella delle HBM2E di 1.2TB/s, anche se nel caso delle soluzioni Samsung abbiamo una velocità di trasmissione per pin di 22Gbps nettamente superiore ai 3.2Gbps delle HBM, raggiunta sfruttando molti meno I/O.
Entro fine anno, Samsung completerà la standardizzazione JEDEC delle memorie, con probabile implementazione già durante il 2023 all’interno di notebook professionali e dedicati ad applicazioni IA e HPC.